在第二十六届中国国际工业博览会上，朗道燧岩展出的极紫外（EUV）光源系统样机迎来工博会首秀。据现场工作人员介绍，这台光源系统的国产化率达到90%，绝大多数核心零部件为自主研发，技术路线与国际领先厂商一致，可用于芯片曝光测试。这是目前公开展示中进度最靠前的国产EUV光源样机——而EUV光源，正是高端光刻机的“心脏”，也是7纳米及以下先进制程芯片制造的三大核心零部件之一。
要理解这台样机的分量，需要先理解EUV光刻的地位。在芯片制造中，光刻是将电路图案转移到硅片上的关键工艺，而光源的波长直接决定了光刻的精度极限。极紫外光的波长仅为13.5纳米，是当前唯一能够支撑7纳米及以下先进制程量产的光刻技术路线。EUV光源、物镜系统与双工件台，并称为EUV光刻机的三大核心零部件，其中光源负责产生高功率、稳定的极紫外光，被称为整台设备的“心脏”。
长期以来，EUV光刻技术处于高度垄断状态：全球能够供应EUV光刻机的厂商仅有一家，EUV光源等核心技术长期受海外技术垄断与出口管制限制。在此背景下，国产EUV光源样机的每一步进展，都牵动着产业链的神经。朗道燧岩此次展出的样机，是目前公开展示中进度最靠前的国产EUV光源系统，其本身就标志着国产EUV技术从实验室走向工程化的重要一步。
据现场工作人员介绍，本次展出的光源系统国产化率达到90%，绝大多数核心零部件为自主研发。90%的国产化率意味着，从光源产生、收集、传输到控制的各个环节，关键部件已经基本实现自主可控，这对于后续的工程化放大与产业化应用至关重要。同时，样机采用了与国际领先厂商一致的技术路线，这既降低了技术路线的试错成本，也为未来与产业链上下游的对接留出了接口。
按照介绍，该样机可用于芯片曝光测试。曝光测试是验证光源性能的关键环节：只有光源的功率、稳定性、寿命等指标达到要求，才能支撑起后续的光刻工艺开发。从样机到可量产的光源系统，中间还有大量的工程优化工作要做，但“可用于曝光测试”这一表述说明，样机已经具备了开展实质性工艺验证的条件，而不再停留于原理样机的阶段。
EUV光源样机的亮相，也折射出国产半导体设备产业链的整体进步。近年来，从刻蚀、薄膜沉积到量测检测，国产设备在多个环节不断取得突破；EUV光源作为难度最高的核心部件之一，其国产化率达到90%，为国产先进制程设备链补上了关键一环。当然，从光源样机到整机EUV光刻机，仍需要物镜、双工件台等其他核心部件的协同突破，以及漫长的工艺磨合。
高端光刻机的自主化是一场马拉松，任何单点突破都值得记录，但也都需要放在整条产业链的坐标系中理性看待。朗道燧岩EUV光源样机的工博会首秀，至少传递出一个明确信号：国产EUV技术正在沿着既定的技术路线稳步推进。接下来，样机在曝光测试中的实际表现、核心部件的可靠性验证，以及向更高功率的迭代，都将是值得持续关注的节点。
（来源：上观新闻）
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